在2019亚洲地区SSD首脑会议上，Everspin做为亚洲地区MRAM储存晶片行业龙头撷取怎样用MRAM此类曼基夫内存储存和NVMe SSD构筑今后的云储存的软件系统。
具体来说STT-MRAM做为极度过载统计数据内存的电介质有以下几大竞争优势：
1. 曼基夫内存储存器晶片，比现代的SRAM或是DRAM在统计数据维持各方面大列佩季哈区；
2. 晶片耗电量非常大，CT7525BBP晶片耗电量高达1Gb；
3. 选用DDR4USB，频宽能到2.7GB/s，极强操控性；
4. CFII单次数千万次！开发周期；
5. 超长延后；
6. 统计数据酪梨很久：85度低温下统计数据能留存10年以内；
7. 统计数据准确率低；
8. 安全性强。
MRAM可应用领域在NVMe SSD的以下情景，PCIe SSD、NVMe-oF、全SSD侦测器：NVMe SSD情景
MRAM为NVMe SSD，特别是QLC做内存有以下竞争优势：
选用MRAM后，NVMe SSD内部的架构发生了以下图片的变化，将MRAM做为统计数据内存使用，而FTL映射表储存依然是DRAM：
NVMe-oF情景
统计数据中心选用NVMe-oF有以下四大竞争优势：
1. 实现低于1微秒的统计数据传输，跳过内核、跳过主机CPU和内存、能P2P传输；
2. 把CPU计算任务分摊到专用计算晶片或是储存控制器；
3. 读写频宽更高；
4. 服务器能更简单、省电，不用昂贵的X86 CPU，用ARM CPU就够了。
以下图片是现代的NVMe-oF的统计数据流，要通过系统内存和CPU再进入NVMe SSD，这样会导致读写延后比较长。如果选用了MRAM做为智能网卡上的内存，统计数据就直接通过P2P传输给NVMe SSD，并跳过了系统内存和CPU，大大缩短读写延后，也大幅提升操控性。
MRAM用在全SSD侦测器
在全SSD侦测器的储存控制器中，MRAM能做为内存加速，并提升产品操控性及安全性，同时能不需要额外的电池或是电容。
今后的统计数据中心储存长这样？今后以NVMe SSD和NVMe-oF为基础的云储存硬件架构如下图，其中MRAM能用在网卡内存、NVDIMM、全SSD侦测器加速和NVMe SSD内部。
Everspin公司专业设计制造嵌入式MRAM和自旋传递扭矩STT-MRAM的领导者，其市场和应用领域领域涉及数据持久性和完整性，低延后和安全性至关重要。在统计数据中心，云储存，能源，工业，汽车和运输市场中提供了超过1.2亿个MRAM和STT-RAM产品，为MRAM用户奠定了强大，增长快的基础。Everspin MRAM能抵抗高辐射，能在极端温度条件下运行，并且能防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用领域。Everspin代理英尚微电子提供完善的产品软件系统及技术各方面支持和指导.
