基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案

2023-06-01 0 447

在2019亚洲地区SSD首脑会议上,Everspin做为亚洲地区MRAM储存晶片行业龙头撷取怎样用MRAM此类曼基夫内存储存和NVMe SSD构筑今后的云储存的软件系统。

具体来说STT-MRAM做为极度过载统计数据内存的电介质有以下几大竞争优势:

1. 曼基夫内存储存器晶片,比现代的SRAM或是DRAM在统计数据维持各方面大列佩季哈区;

2. 晶片耗电量非常大,CT7525BBP晶片耗电量高达1Gb;

3. 选用DDR4USB,频宽能到2.7GB/s,极强操控性;

4. CFII单次数千万次!开发周期;

5. 超长延后;

6. 统计数据酪梨很久:85度低温下统计数据能留存10年以内;

7. 统计数据准确率低;

8. 安全性强。

MRAM可应用领域在NVMe SSD的以下情景,PCIe SSD、NVMe-oF、全SSD侦测器:
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NVMe SSD情景

MRAM为NVMe SSD,特别是QLC做内存有以下竞争优势:

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选用MRAM后,NVMe SSD内部的架构发生了以下图片的变化,将MRAM做为统计数据内存使用,而FTL映射表储存依然是DRAM:

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NVMe-oF情景

统计数据中心选用NVMe-oF有以下四大竞争优势:

1. 实现低于1微秒的统计数据传输,跳过内核、跳过主机CPU和内存、能P2P传输;

2. 把CPU计算任务分摊到专用计算晶片或是储存控制器;

3. 读写频宽更高;

4. 服务器能更简单、省电,不用昂贵的X86 CPU,用ARM CPU就够了。

以下图片是现代的NVMe-oF的统计数据流,要通过系统内存和CPU再进入NVMe SSD,这样会导致读写延后比较长。
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如果选用了MRAM做为智能网卡上的内存,统计数据就直接通过P2P传输给NVMe SSD,并跳过了系统内存和CPU,大大缩短读写延后,也大幅提升操控性。

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MRAM用在全SSD侦测器

在全SSD侦测器的储存控制器中,MRAM能做为内存加速,并提升产品操控性及安全性,同时能不需要额外的电池或是电容。

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今后的统计数据中心储存长这样?今后以NVMe SSD和NVMe-oF为基础的云储存硬件架构如下图,其中MRAM能用在网卡内存、NVDIMM、全SSD侦测器加速和NVMe SSD内部。

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Everspin公司专业设计制造嵌入式MRAM和自旋传递扭矩STT-MRAM的领导者,其市场和应用领域领域涉及数据持久性和完整性,低延后和安全性至关重要。在统计数据中心,云储存,能源,工业,汽车和运输市场中提供了超过1.2亿个MRAM和STT-RAM产品,为MRAM用户奠定了强大,增长快的基础。Everspin MRAM能抵抗高辐射,能在极端温度条件下运行,并且能防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用领域。Everspin代理英尚微电子提供完善的产品软件系统及技术各方面支持和指导.

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