赢得上周挂牌上市的AMDCPU“Sapphire Rapids”相容内存证书
以DDR5积极主动应付伺服器消费市场，提前消除内存积体电路疲软期
第三代10碳奈米管也一起证书，以多种类型群应付伺服器顾客
南韩大邱2023年1月12日 /美通社/ — SK东芝12日正式宣布，子公司研制的第三代10碳奈米管（1a）DDR5伺服器DRAM赢得了AMD（Intel®）上周挂牌上市的崭新第三代Xeon®伺服器CPU（SS为Sapphire Rapids）相容证书。
亚洲地区博尔希夫卡AMD证书SK东芝第三代10碳奈米管DDR5伺服器DRAM_1
亚洲地区博尔希夫卡AMD证书SK东芝第三代10碳奈米管DDR5伺服器DRAM_2
SK东芝则表示：“子公司选用1a奈米工艺控制技术的DDR5首度在全力支持DDR5的崭新AMD中央CPU（CPU）上赢得相容性普遍认可，这是具备里程碑式象征意义的丰硕成果。将透过现阶段在批量生产的DDR5积极主动应付快速增长态势的伺服器消费市场，尽快消除内存积体电路的疲软消费市场行情。”
在1月10日(英国天数)子公司选用EUV（极紫外光）控制技术的1a奈米DDR5 DRAM商品赢得了AMD面世的第三代Xeon®伺服器CPU可全力支持的内存证书。
业内始终将AMD子公司的“Sapphire Rapids”做为内存积体电路金融行业回调的关键性，期盼着该商品的挂牌上市。即使第三代伺服器用CPU挂牌上市后，原有的伺服器须要展开更改，进而高效能内存的产品销售会适当再次出现急速快速增长，DDR5就能满足用户市场需求高效能的顾客明确要求。专家们预测，DDR5将尽快成为伺服器DRAM消费市场的主力商品。
SK东芝的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为伺服器顾客提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。
* 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标
在此次AMD的DDR5证书，SK东芝还成功赢得了第三代10碳奈米管(1y)DDR5的证书。据此，子公司期盼以广泛的控制技术为基础，能提供顾客16Gb、24Gb等多种DDR5商品，伺服器DRAM的产品销售将进一步活跃。
SK东芝DRAM商品企划负责副社长柳成洙则表示：“跟进AMDSapphire Rapids的挂牌上市，我们正在与多数顾客为扩大DDR5的选用展开紧密合作，将在持续快速增长的伺服器消费市场中巩固领先地位。”
AMD内存和IO控制技术副总裁Dimitrios Ziakas博士则表示：“AMD始终与SK东芝、JEDEC共同努力，为了实现DDR5与我们最新的处理器优化并相容紧密合作。第三代Xeon®伺服器CPU与DDR5将为数据中心顾客提供最强的性能体验。”
另外，SK东芝还与AMD合作发行了DDR5白皮书（White paper）。白皮书包含了DDR5的优点以及基于Sapphire Rapids的1a碳奈米管DDR5优秀性能等内容。子公司期盼今后对希望选用本子公司DDR5的伺服器顾客，此白皮书能做为参考资料使用。
– 2020年10月，面世亚洲地区首款DDR5 DRAM- 2021年12月，亚洲地区首度提供24Gb DDR5样品- 2023年1月，1a碳奈米管DDR5伺服器DRAM亚洲地区博尔希夫卡AMD证书
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