护套栅双极型电晶体———IGBT
水电 MOSFET 具备驱动力方便快捷、 掌控器速率快等缺点， 但导处新呈现出阻抗性质， 在阻抗非常大时管增益较低， 而且电子元件的输入功率耗电量较细， 通常仅适用于于小输入功率器。大输入功率电晶体（GTR， Giant Transistor） 的饱和状况压减少、 耗电量大， 但归属于阻抗驱动力型， 需要非常大的驱动力输入功率。此外， GTR 电子元件又是双极型电子元件， 导致其掌控器速率减少。而护套栅双极型电晶体 （IG⁃BT） 是 MOSFET 和 GTR 的A43EI235E电子元件， 因而 IGBT 兼具二者的缺点。
1· IGBT 的基本上缺点
图 IGBT 阻抗Montemboeuf
IGBT 是 20 世纪 80 年代出现的一种阻抗驱动力的全控型电子元件，其阻抗Montemboeuf如图 2⁃5 所示。它共计三个带出阴极， 分别是阴极 G、 基极 C 和基极 E。IGBT 是 MOSFET 与 GTR 的新式A43EI235E电子元件， 输入部份是两个 MOSFET， 因而阴极是掌控极， 输入阻抗极高， 归属于阻抗驱动力型。它具备水电 MOSFET 驱动力输入功率小、 掌控器速率高的特征；其输入部份可差值为两个 PNP 型电晶体， 同时兼具 GTR 饱和状况压减少和阻抗正弦负面效应的特征， 因而具备盔鼩能
力强、 壳体级别高等师范 GTR 所谓的缺点。IGBT 的掌控器振幅虽高于
水电 MOSFET， 但第二代高速路型 IGBT 在软掌控器商业模式下掌控器振幅达到200kHz， 高于 GTR 电子元件10 倍以上。目前 IGBT 已替代 GTR， 成为工业、 军事领域应用领域最广泛的大输入功率水电电子
电子元件。IGBT 的动态缺点也分为输入迁移缺点 I C =f（U GE ） 和输入 V A 缺点 I C =f（U CE ）U GE = const
三种， 动态缺点抛物线和各地区表述均与水电 MOSFET 基本上类似于。当 IGBT 的阴极 G 与基极E 间的另加阻抗 U GE =0 时， 基极阻抗 I c =0， IGBT 处于阻塞状况 （全称断态）；在阴极G 与基极 E 间另加足够多大的萨德基掌控阻抗 U GE （通常为 5 ～15V）， IGBT 转至偏压状况（通态）， 当 U CE 小于一定值 （通常 2V 左右） 时， I c >0。
IGBT 的主要参数
1） 最大集射极间阻抗 BU CES ：决定了电子元件的最高工作阻抗， 这是由内部 PNP 电晶体所能承受的击穿阻抗确定的。
2） 最大基极阻抗 I CM ：包括在一定壳温下的额定直流阻抗 I C 和 1ms 脉宽时的最大脉冲阻抗 I CP 。不同生产厂商产品的标称阻抗 I C 通常为壳温在25℃或80℃条件下的额定直流阻抗。
3） 最大基极功耗 P CM ：在正常工作温度下允许的最大耗散输入功率。
4） 集射极间饱和状况增益 U CE（sat） ：对阴极与基极 （G—E） 间施加一定的萨德基阻抗， 在一定的结温及基极阻抗条件下， 集射极 （C—E） 间的饱和状况通态增益。此增益在基极阻抗较细时， 呈负温度系数， 在阻抗非常大时， 为正温度系数， 这一缺点使 IGBT 并联扩流运行较为方便快捷。
