IT爱家 5 月 23 日消息，据 ITF World 2023 会议上的报告，AMD控制工程技术副总经理 Ann Kelleher 如是说了AMD在关键性领域的韦谢列。其中之一即是如是说AMD今后将选用的拼接式 CFET 电晶体构架。这是AMD首度向社会公众如是说这种新式电晶体结构设计，AMD在会后简述了其电晶体控制技术的约莫产业发展方向，即按照“Planar FET 正方形寄生电容”、“FinFET 鳍式寄生电容（当前非主流）”、“RibbonFET 全环绕着阴极寄生电容”、“CFET 拼接式寄生电容”次序重构产业发展，但没有提到具体的批量生产年份或方案。
AMD的 GAA 结构设计拼接式 CFET 电晶体构架是在 imec 的协助下开发的，结构设计意在增加电晶体表面积，通过将 n 和 p 三种 MOS 电子元件互相拼接在一起，并容许拼接 8 个奈米片（RibbonFET 使用的 4 个奈米片的三倍）来同时实现更高的表面积。目前，AMD正在科学研究三种类别的 CFET，包括单面式和次序式，但仍未确定最终选用哪一种，或者是否还会有其他类别的结构设计出现，今后应该会有更多技术细节信息公布。
在此之前在 2021 年的“AMD快速技术创新：晶片工艺技术和PCB控制技术圣戈当斯区见面会”上，AMD已经证实了 RibbonFET 将成历史，在其 20A 工艺技术上，将导入选用 Gate All Around（GAA）结构设计的 RibbonFET 电晶体构架，以替代自 2011 年面世的 FinFET 电晶体构架。新控制技术将大力推进了电晶体控制器速度，同时同时实现与多鳍结构完全相同的充电电流，但挤占的空间更小。
值得注意的是，AMD的蓝图及其 CFET 构架并不是独立提出的，而是与 IMEC 政府机构长年合作的结果。IT爱家注：IMEC 全称为“Interuniversity Microelectronics Centre”电子技术科学研究中心，是与HTC电子、ASML 同为的晶片行业重要政府机构，另一家政府机构联手了例如AMD、HTC电子、HTC与 ASML、应用材料、Cadence 和 Synopsys 这类的积体电路结构设计软件（EDA）公司，致力进行今后积体电路控制技术的科学研究。
